OPTEX激光位移传感器CD33

应用:掩模高度控制和玻璃基板厚度测量
使用正反射型位移传感器CD33-L30控制掩模的高度，同时测量玻璃的厚度。 测量到掩模的3点距离，调整到很好的高度，然后玻璃基板通过其上时测量厚度。 如果是透明度高的玻璃基板，无需用2台位移传感器夹住进行测量，即可实现稳定的厚度测量。也可测量厚度
测量透明体时，正反射型不仅可测量表面的位移量，还可测量厚度。
如右图所示，倾斜照射激光时，在受光元件上产生来自玻璃表面和背面的两种反射光。
通过测量这两个反射光的峰值之间，可以测量厚度。

采用独特的内置技术内置放大器！ 而且超轻型！
放大器和控制器的功能全部与传感头一体化。 没有必要考虑在控制柜上的设置空间。 而且约65g和超轻设计！ 也可以搭载在芯片安装器和机械臂等可动部上。
型?式 CD33-120□□□ CD33-250□□□
測定中心距離 120mm 250mm
測定範囲 ±60mm ±150mm
F.S.（フルスケール） 120mm 300mm
光源 赤色半導体レーザ?波長：655nm?最大出力：1mW
レーザクラス IEC/JIS：CLASS 2?FDA：CLASSⅡ
スポットサイズ※1 1.0×1.5mm 1.75×3.5mm
リニアリティ ±0.1％F.S. ±0.3％F.S.
繰返精度 30μm
（応答時間：Fast時のみ45μm） 75μm
（応答時間：Fast時のみ100μm）
サンプリング周期 0.5（初期設定）、1、1.5、2ms 4段階切換可能 0.75（初期設定）、1、1.5、2ms 4段階切換可能
応答時間※2
アベレージング Fast 5ms以下：アベレージング1回（1ms）+感度切換時間（4ms） 7.5ms以下：アベレージング1回（1.5ms）+感度切換時間（6ms）
Standard 12.5ms以下：アベレージング16回（8.5ms）+感度切換時間（4ms） 19ms以下：アベレージング16回（13ms）+感度切換時間（6ms）
High-resolution 36.5ms以下：アベレージング64回（32.5ms）+感度切換時間（4ms） 55ms以下：アベレージング64回（49ms）+感度切換時間（6ms）
温度特性 ±0.08％/℃ F.S.
表示灯 距離表示 操作面上LEDバー表示（25段階）
出力表示 出力時Q1、Q2LED点灯（橙色）
入力表示 入力時MF LED点灯（橙色）
ＭＦ（マルチファンクション）入力 レーザ放射停止、外部ティーチ※3、サンプル&ホールドから選択可能?応答時間：3ms以下
接続形態 コード式：ケーブル長2m φ5?コネクタ式：M12 8ピン
保護回路 逆接続保護、過電流保護機能
保護構造 IP67
使用周囲温度/湿度 －10～＋45℃/35～85% RH（氷結?結露なきこと）
使用周囲照度 太陽光：10,000lx、白熱ランプ3,000lx
耐振動 10～55Hz、複振幅1.5mm、X,Y,Z各方向2時間
耐衝撃 約50G（500m/s2）、X,Y,Z各方向3回
回路安定時間 約1.5s
ウォームアップ時間 15min. max.
材質 ケース：PBT、フロントカバー：PMMA、ケーブル：PVC

質量（コード含まず） 約65g

種?類 アナログ電流タイプ アナログ電圧タイプ RS-422タイプ
型?式 NPNタイプ CD33-□□NA CD33-□□NV CD33-□□N-422
PNPタイプ CD33-□□PA CD33-□□PV CD33-□□P-422
電源電圧 DC12～24V、+10/-5％ DC18～24V、+10/-5％ DC12～24V、+10/-5%
消費電流 max.85mA
（DC24V時、アナログ出力を含む） max.55mA（DC24V時）
制御出力 出力ch数 2ch：Q1、Q2（Q2の初期設定は自己診断出力） 1ch：Q2
（初期設定は自己診断出力）
出力方式 NPN/PNP オープンコレクタ出力 100mA max./DC30V?残留電圧1.8V
アナログ出力 4～20mA 負荷インピーダンス : 300Ω以下 0～10Ｖ 出力インピーダンス : 100Ω 非装備
適用法令 EMC指令（2004/108/EC） / FDA規則（21 CFR 1040.10）
適用規格 EN 60947-5-7 EN 60947-5-2

型?式 NPNタイプ CD33-L30□N-422 CD33-L50□N-422 CD33-L85□N-422
PNPタイプ CD33-L30□P-422 CD33-L50□P-422 CD33-L85□P-422
測定対象物体 鏡面体、ガラス
測定中心距離 26.3mm 47.3mm 82.9mm
測定範囲 ±2mm ±5mm ±10mm
F.S.（フルスケール） 4mm 10mm 20mm
光源 赤色半導体レーザ?波長：655nm?最大出力：390μW
レーザクラス IEC/JIS：CLASS 1?FDA：CLASSⅡ
スポットサイズ※1 0.1×0.1mm
リニアリティ ±0.2%F.S.
繰返精度 1μm 2.5μm 5μm
サンプリング周期 0.5（初期設定）、1、1.5、2ms 4段階切換可能
応答時間※2
アベレージング Fast 5ms以下：アベレージング1回（1ms）+感度切換時間（4ms）
Standard 12.5ms以下：アベレージング16回（8.5ms）+感度切換時間（4ms）
High-resolution 36.5ms以下：アベレージング64回（32.5ms）+感度切換時間（4ms）
制御出力 出力ch数 1ch：Q2（初期設定は自己診断出力）
出力方式 NPN/PNPオープンコレクタ出力、100mA max./DC30V、残留電圧1.8V
アナログ出力 非装備
通信機能 RS-422?9.6k?256kbps
温度特性 ±0.08％/℃ F.S
表示灯 距離表示 操作面上LEDバー表示（25段階）
出力表示 出力時Q2 LED点灯（橙色）
入力表示 入力時MF LED点灯（橙色）
ＭＦ（マルチファンクション）入力 レーザ放射停止、外部ティーチ※3、サンプル&ホールドから選択可能?応答時間：3ms以下
電源電圧 DC12～24V、+10/-5%
消費電流 max. 55mA（DC24V時）
接続形態 コード式：ケーブル長2m φ5?コネクタ式：M12 8ピン
保護回路 逆接続保護、過電流保護機能
保護構造 IP67
使