CD33
应用:掩模高度控制和玻璃基板厚度测量 使用正反射型位移传感器CD33-L30控制掩模的高度,同时测量玻璃的厚度。 测量到掩模的3点距离,调整到很好的高度,然后玻璃基板通过其上时测量厚度。 如果是透明度高的玻璃基板,无需用2台位移传感器夹住进行测量,即可实现稳定的厚度测量。也可测量厚度 测量透明体时,正反射型不仅可测量表面的位移量,还可测量厚度。 如右图所示,倾斜照射激光时,在受光元件上产生来自玻璃表面和背面的两种反射光。 通过测量这两个反射光的峰值之间,可以测量厚度。 采用独特的内置技术内置放大器! 而且超轻型! 放大器和控制器的功能全部与传感头一体化。 没有必要考虑在控制柜上的设置空间。 而且约65g和超轻设计! 也可以搭载在芯片安装器和机械臂等可动部上。 型?式 CD33-120□□□ CD33-250□□□ 測定中心距離 120mm 250mm 測定範囲 ±60mm ±150mm F.S.(フルスケール) 120mm 300mm 光源 赤色半導体レーザ?波長:655nm?最大出力:1mW レーザクラス IEC/JIS:CLASS 2?FDA:CLASSⅡ スポットサイズ※1 1.0×1.5mm 1.75×3.5mm リニアリティ ±0.1%F.S. ±0.3%F.S. 繰返精度 30μm (応答時間:Fast時のみ45μm) 75μm (応答時間:Fast時のみ100μm) サンプリング周期 0.5(初期設定)、1、1.5、2ms 4段階切換可能 0.75(初期設定)、1、1.5、2ms 4段階切換可能 応答時間※2 アベレージング Fast 5ms以下:アベレージング1回(1ms)+感度切換時間(4ms) 7.5ms以下:アベレージング1回(1.5ms)+感度切換時間(6ms) Standard 12.5ms以下:アベレージング16回(8.5ms)+感度切換時間(4ms) 19ms以下:アベレージング16回(13ms)+感度切換時間(6ms) High-resolution 36.5ms以下:アベレージング64回(32.5ms)+感度切換時間(4ms) 55ms以下:アベレージング64回(49ms)+感度切換時間(6ms) 温度特性 ±0.08%/℃ F.S. 表示灯 距離表示 操作面上LEDバー表示(25段階) 出力表示 出力時Q1、Q2LED点灯(橙色) 入力表示 入力時MF LED点灯(橙色) MF(マルチファンクション)入力 レーザ放射停止、外部ティーチ※3、サンプル&ホールドから選択可能?応答時間:3ms以下 接続形態 コード式:ケーブル長2m φ5?コネクタ式:M12 8ピン 保護回路 逆接続保護、過電流保護機能 保護構造 IP67 使用周囲温度/湿度 -10~+45℃/35~85% RH(氷結?結露なきこと) 使用周囲照度 太陽光:10,000lx、白熱ランプ3,000lx 耐振動 10~55Hz、複振幅1.5mm、X,Y,Z各方向2時間 耐衝撃 約50G(500m/s2)、X,Y,Z各方向3回 回路安定時間 約1.5s ウォームアップ時間 15min. max. 材質 ケース:PBT、フロントカバー:PMMA、ケーブル:PVC
質量(コード含まず) 約65g
種?類 アナログ電流タイプ アナログ電圧タイプ RS-422タイプ 型?式 NPNタイプ CD33-□□NA CD33-□□NV CD33-□□N-422 PNPタイプ CD33-□□PA CD33-□□PV CD33-□□P-422 電源電圧 DC12~24V、+10/-5% DC18~24V、+10/-5% DC12~24V、+10/-5% 消費電流 max.85mA (DC24V時、アナログ出力を含む) max.55mA(DC24V時) 制御出力 出力ch数 2ch:Q1、Q2(Q2の初期設定は自己診断出力) 1ch:Q2 (初期設定は自己診断出力) 出力方式 NPN/PNP オープンコレクタ出力 100mA max./DC30V?残留電圧1.8V アナログ出力 4~20mA 負荷インピーダンス : 300Ω以下 0~10V 出力インピーダンス : 100Ω 非装備 適用法令 EMC指令(2004/108/EC) / FDA規則(21 CFR 1040.10) 適用規格 EN 60947-5-7 EN 60947-5-2
型?式 NPNタイプ CD33-L30□N-422 CD33-L50□N-422 CD33-L85□N-422 PNPタイプ CD33-L30□P-422 CD33-L50□P-422 CD33-L85□P-422 測定対象物体 鏡面体、ガラス 測定中心距離 26.3mm 47.3mm 82.9mm 測定範囲 ±2mm ±5mm ±10mm F.S.(フルスケール) 4mm 10mm 20mm 光源 赤色半導体レーザ?波長:655nm?最大出力:390μW レーザクラス IEC/JIS:CLASS 1?FDA:CLASSⅡ スポットサイズ※1 0.1×0.1mm リニアリティ ±0.2%F.S. 繰返精度 1μm 2.5μm 5μm サンプリング周期 0.5(初期設定)、1、1.5、2ms 4段階切換可能 応答時間※2 アベレージング Fast 5ms以下:アベレージング1回(1ms)+感度切換時間(4ms) Standard 12.5ms以下:アベレージング16回(8.5ms)+感度切換時間(4ms) High-resolution 36.5ms以下:アベレージング64回(32.5ms)+感度切換時間(4ms) 制御出力 出力ch数 1ch:Q2(初期設定は自己診断出力) 出力方式 NPN/PNPオープンコレクタ出力、100mA max./DC30V、残留電圧1.8V アナログ出力 非装備 通信機能 RS-422?9.6k?256kbps 温度特性 ±0.08%/℃ F.S 表示灯 距離表示 操作面上LEDバー表示(25段階) 出力表示 出力時Q2 LED点灯(橙色) 入力表示 入力時MF LED点灯(橙色) MF(マルチファンクション)入力 レーザ放射停止、外部ティーチ※3、サンプル&ホールドから選択可能?応答時間:3ms以下 電源電圧 DC12~24V、+10/-5% 消費電流 max. 55mA(DC24V時) 接続形態 コード式:ケーブル長2m φ5?コネクタ式:M12 8ピン 保護回路 逆接続保護、過電流保護機能 保護構造 IP67 使
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